该装置达到了成本和性能目标，进入了认证阶段，在弹性量产和供应方面取得重大进展
2022年6月7日消息——意法半导体(“ST”)(纽约证券交易所代码:STM)，一家为电子应用领域客户提供服务的全球半导体领导者;MACOM科技解决方案控股有限公司(“MACOM”)(纳斯达克代码:MTSI)，一家为电信、工业、国防和数据中心行业提供半导体产品的供应商，成功生产出高频氮化硅(RF GaN-on-Si)原型。我宣布我做到了。有了这一成就，ST和MACOM将继续共同努力，加强双方的关系。
射频GaN-on-Silicon为5G和6G基础设施提供了很高的潜力。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)是一种长期存在的射频功率技术，在早期的射频功率放大器(PAs)中占主导地位。GaN可以提供比LDMOS更好的射频特性和更高的输出功率。此外，它可以在硅或碳化硅(SiC)晶圆上制造。射频GaN-on-SiC由于与大功率应用的SiC晶圆及其非主流半导体加工的竞争而更加昂贵。同时，ST和MACOM正在开发的GaN-on-Si技术有望通过集成到标准半导体工艺流程中，提供具有竞争力的性能，并具有较大的经济效益。
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ST制造的原型晶圆和器件已经实现了成本和性能目标，可以有效地与市场上现有的LDMOS和GaN-on-SiC技术竞争。这些原型机目前正在迈向下一个重要的里程碑——认证和产业化。ST的目标是在2022年达到这些里程碑。随着这一进展，ST和MACOM已经开始讨论进一步扩大他们的努力，以加快先进的RFGaN-on-Si产品交付市场。
“该技术已经达到了性能水平和工艺成熟度，可以有效地挑战现有的LDMOS和GaN-on-SiC，为包括无线基础设施在内的大量应用提供具有吸引力的成本和供应链效益。我们相信我们可以做到。”意法半导体电力晶体管子公司总经理兼执行副总裁Edoardo Merli表示:“硅上rfgan产品的商业化是我们与MACOM合作的下一个重要里程碑，我们期待继续推进，以充分实现这一令人兴奋的技术的潜力。”
MACOM总裁兼首席执行官Stephen G. Daly表示:“与ST的合作是我们RF电源战略的重要组成部分，我们有信心GaN-on-Silicon技术将在满足我们技术要求的目标应用中获得市场份额。”
https://electronicsmaker.com/stmicroelectronics-and-macom-rf-gallium-nitride-on-silicon-prototypes-achieve-technology-and-performance-milestones STMicroelectronics和MACOM RF硅上氮化镓原型实现了技术和性能里程碑
